Minggu, 12 Januari 2014

Meringkas dan mengkritisi artikel



Meringkas dan mengkritisi artikel
Judul Artikel
Microwave synthesis of phase-pure, fine silicon carbide powder” (L.N. Satapathy et al., 2005)
Sumber
L.N. Satapathy, P.D. Ramesh, Dinesh Agrawal, Rustum Roy. 2005. Microwave synthesis of phase-pure, fine silicon carbide powder. Materials Research Bulletin. 40, 1871–1882.

Abstract
Fine, monophasic silicon carbide powder has been synthesized by direct solid-state reaction of its constituents namely silicon and carbon in a 2.45 GHz microwave field. Optimum parameters for the silicon carbide phase formation have been determined by varying reaction time and reaction temperature. The powders have been characterized for their particle size, surface area, phase composition (X-ray diffraction) and morphology (scanning electron microscope). Formation of phase-pure silicon carbide can be achieved at 1300 oC in less than 5 min of microwave exposure, resulting in sub-micron-sized particles. The free energy values for Si + C à SiC reaction were calculated for different temperatures and by comparing them with the experimental results, it was determined that phase-pure silicon carbide can be achieved at around 1135 oC.
Ringkasan
Artikel ini melaporkan kajian mengenai bubu silikon karbida yang disintesis langsung dari karbon dan silikon yang direaksikan medan gelombang mikro 2,45 GHz. Dan mengenai karakterisasi ukuran partikel, bidang permukaan,  fase komposisi (Difraksi Sinar-X) dan morfologinya (SEM). Kajian dilakukan dengan variasi waktu dan suhu reaksi.
Dalam tulisan ini, mensintesis solid-state yang bubuk -SiC dengan mereaksikan bubuk campuran Si dan amorf C dalam reaktor tubular microwave. Cara sintesis silikon karbida ini dengan mencampurkan bahan baku silikon (Aldrich chemical Co., Milwaukee, WI, USA, kemurnian 99%, -325 mesh) dan serbuk karbon amorf (Aldrich Chemical Co., Milwaukee, WI, USA). Campuran bubuk benar-benar kering di bawah lampu inframerah dan pemilihan bubuk dipindahkan ke mullite tabung tertutup, yang kemudian ditempatkan di pusat tungku microwave tubular  2 kW (Model RC/20SE, Amana Pendinginan Inc., Amana, IA, USA) dalam keadaan atmosfer argon (Ar).
Hasil pengamatan silikon karbida juga ditulis dalam jurnal lain. Changhong et al. [20] melaporkan hasil penelitian dari transmisi elektron mikrograf (TEM) bahwa ukuran partikel bubuk meningkat dengan meningkatnya suhu dari 1180 ke 1350oC. Selanjutnya, tingkat pertumbuhan partikel juga menunjukkan meningkat dengan pengaruh suhu. pengamatan serupa juga dilakukan oleh Kavecky et al. Hal ini dapat dijelaskan atas dasar terjadinya fusi partikel. selanjutnya , percobaan menunjukkan bahwa peningkatan pada periode perendaman pada suhu tertentu telah meningkatkan fusi antara partikel-partikel. Umumnya, suhu reaksi yang lebih rendah mengurangi ukuran partikel dan akibatnya meningkatkan luas permukaan untuk meningkatkan densifikasi tersebut.
Disimpulkan juga bahwa ukuran partikel SiC tidak berubah dengan peningkatan suhu reaksi.


Mengkritisi
·         ‘berani’ mencoba microwafe sebagai alat mensintesis silikon karbida dalam atmosfer Argon (Ar).
·         Mampu membuktikan bahwa silikon karbida dapat terbentuk pada suhu minimum yaitu di bawah 1000oC. Sedangkan fase SiC murni terbenruk pada suhu 1200oC.
·         Dalam teori yang diperoleh dari hasil perbandingan data kalorimeter dengan data sintesis mikrowafe mengindikasi bahwa minimum suhu untuk fase-murni silikon karbida adalah 1135oC. Sehingga silikon karbida dapat diproduksi dalam skala industri.

D. Changhong, Z. Xianpeng, Z. Jinsong, Y. Yongjin, C. Lihua, X. Fei, J. Rapid. 1997. carbothermic synthesis of silicon carbide nano powders by using microwave heating. Mater. Sci. 32, 2469. http://yadda.icm.edu.pl/yadda/element/bwmeta1.element.elsevier-e767a848-7722-3316-9085-207af8da3876

S. Kavecky, B. Janekova, J. Madejova, P. Sajgalik, J. Eur. Ceram. 2000. Silicon carbide powder synthesis by chemical vapour deposition from silane/acetylene reaction system. Soc. 20,1939. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0955221900000716
Comments
0 Comments

Posting Komentar

:)) ;)) ;;) :D ;) :p :(( :) :( :X =(( :-o :-/ :-* :| 8-} :)] ~x( :-t b-( :-L x( :-q =))