Meringkas
dan mengkritisi artikel
Judul
Artikel
“Preparation
and characterization of silicon carbide fibers from activated carbon fibers”
(Zhenyu
Ryu et al., 2002)
|
Sumber
Zhenyu Ryu,
Jingtang Zheng, Maozhang Wang, Bijiang Zhang, 2002.
Preparation and characterization of silicon carbide fibers from
activated carbon fibers. Carbon. 40, 715–720.
|
Abstract
Silicon
carbide fibers were prepared by the reaction between activated carbon fibers
and silicon monoxide generated from a mixture of silicon and silicon dioxide
at temperatures from 1200 to 1300oC in an inert atmosphere of
argon. The reaction was completed at temperatures as low as 1200oC,
which means that activated carbon fibers had a high reactivity. The resulting
sample maintained the original morphology of the starting material, which was
an advantage because of the difficulty in post shaping silicon carbide, and
led to a silicon carbide fiber with high specific surface area. The resulting
samples were characterized by powder X-ray diffraction, thermal gravimetric
analysis, and by nitrogen adsorption measurements at 77.4 K to obtain surface
area and pore size distributions. The morphology of the resulting sample was
observed by scanning electron microscopy and the electronic structure was
investigated by Fourier transformation infrared spectroscopy and X-ray
photoelectron spectroscopy techniques.
|
Ringkasan
Artikel ini
melaporkan kajian mengenai pengolahan dan karakteristik dari silicon karbida
dari serat karbon aktif yang meliputi difraksi sinar-X, analisis gravimetric
termal, pengukuran adsorpsi nitrogen pada 77,4 K untuk memperoleh bidang
permukaan dan distribusi ukuran pori. Kajian dilakukan dengan variasi waktu
terhadap komposisi SiC yang terbentuk, bentuk morfologi, bidang permukaan,
dan struktur pori.
Cara pembuatan
serat silicon karbida pada gas-reaksi padat diantara bidang area specific tinggi
berbasis PAN-ACFs dan SiO uap dalam atmosfer inert argon yaitu mengikuti prosedur yang diuraikan pada
publikasi lain (ledoux et al., 1988). Uap SiO dihasilkan pada pemanasan
campuran silicon dan silika dalam temperature antara 1200-1300oC.
Kemudian uap SiO direaksikan dengan PAN-ACF untuk mengubahnya menjadi silicon
karbida.
Dalam tulisan
ini, karakterisasi bentuk morfologi diamati dengan SEM, yang ditunjukkan pada
gambar 4. bahwa permukaan dari PAN-ACF relatif halus.
Pori material
yang digunakan sebagai bantuan katalis harus memiliki kelayakan bidang
permukaan lebih dari sama dengan 10 m2 g-1yang
dipresentasikan pada gambar 5. Hasil dari adsorbsi nitrogen isotherm.
Disimpulkan
juga bahwa serat SiC diolah melalui reaksi antara ACF dan fase gas SiO yang
dihasilkan dari campuran Si dan SiO2 pada suhu 1200-1300oC
dalam atmosfer inert argon.
Serat karbon
memiliki kereaktifan yang tinggi terhadap suhu.
Mengkritisi
· Dalam tulisan
ini, menggunakan uap SiO dan direaksikan dengan bubuk karbon dalam
mensintesis SiC.
· Tulisan ini
menerangkan lebih lanjut prosentase terbentuknya SiC yang dipengaruhi suhu
(antara suhu 1200-1300oC dan waktu.
· Tulisan ini
membuktikan bahwa SiC dapat terbentuk pada suhu 1200oC.
· Dalam tulisan
ini menerangkan bahwa SiC yang terbentuk dalam ACF asli pada suhu 1200oC
memiliki porositas partikel lebih besar dibandingkan komposit SiC-C dan SiC
yang telah di kalsinasi.
|
Ledoux JM,
Hantzer J, Huu CP, Guille J, Desaneaux MP. 1988. New synthesis and uses of
high-specific-surface SiC as a catalytic support that is chemically inert and
has high thermal resistance. J Catal;114:176–85. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/002195178890019X
|